存储市场涨价潮持续，三巨头激进产能切换
记者 彭新
在全球存储市场供需天平剧烈变化、量价齐升的时刻，存储芯片巨头美光近期做出重要调整。
近日，美光宣布将退出消费存储品牌英睿达(Crucial)业务，称自2026年3月起，消费者将无法再通过零售商和电商平台购买到新的英睿达产品。对此，美光解释称，退出英睿达业务是一个艰难的决定，面对AI驱动下数据中心需求的爆发式增长，公司必须对产能与资源进行重新配置，全力押注增长更快、利润空间更高的企业级及AI战略客户。
美光是全球三大存储厂商之一。据市场调研机构集邦咨询数据，2025年三季度，美光是全球第三大DRAM厂商，市场份额为25.7%；在NAND市场，美光该季度的市场份额为14.2%，位列第四。对于美光退出消费级存储业务，存储行业专业媒体CFM闪存市场(CFM Market)评价称，在供需天平已然失衡的当下，美光的离场无疑让消费级市场的不确定性进一步加剧。
而拥有极强存储芯片定价权的三星、SK海力士、美光三巨头，正成为涨价周期中的直接受益者。
从财报来看，三巨头显著受益于涨价潮，利润率大幅提升。2025年第三季度，三星电子存储业务销售额达26.7万亿韩元(约合187亿美元)，同比增长20%，创单季历史新高；营业利润7万亿韩元(约合49亿美元)。同期，SK海力士收入24.45万亿韩元(约合171亿美元)，同比增长39%，环比增长10%；营业利润11.38万亿韩元(约合80亿美元)，同比增长62%。美光在截至2025年8月31日的2025财年第四季度中，营收达到113.2亿美元，同比增长46%；毛利率45.7%，同比增长9.2个百分点。
激进产能切换
人工智能大模型的爆发式增长，重塑了存储芯片需求，市场对高带宽、低功耗的高端产品需求急剧上升。受此驱动，三星、SK海力士、美光三大头部厂商纷纷进行战略性产能迁移，将核心资源倾斜至HBM、DDR5等高附加值产品。目前来看，美光选择退出英睿达业务，即是受此影响。
本轮存储芯片涨价潮的持久度与覆盖面，均远超市场预期。集邦咨询分析师许家源向记者指出，涨价态势虽已持续半年有余，但推动价格上行的核心动力源，正在发生结构性切换。
许家源分析称，今年二、三季度的价格上涨，主要源于原厂宣布DDR4 EOL(停止生产)带来的供给收缩，以及国际形势变化引发的避险性提前备货。然而，展望2025年第四季度至2026年上半年，市场增长动力主要来自人工智能服务器的加速投资。
“人工智能服务器对存储性能的要求极为苛刻，”许家源进一步解释道，AI驱动的产品需求集中于支持GPU的高带宽内存(HBM)、支持x86架构CPU的高容量DDR5 RDIMM，以及支持ARM架构CPU的LPDDR5X。这些产品无一例外高度依赖先进制程产能。
与过往主要由终端消费电子需求回升带来的库存回补周期不同，本轮由AI基建驱动的周期具有极高的门槛。许家源强调，由于产能扩充的前置时间较久，且仅主要原厂可供应，并非所有的制程产能或原厂都能从这波红利中受益。
这种需求端的剧变，直接导致了供给端的挤出效应。为了追逐AI带来的高附加值，三大原厂正在进行一场激进的产能切换，即将有限的晶圆产能全面升级至先进制程，同时大幅压缩成熟制程比重。
“进入2026年，三大原厂均预计持续快速将产能升级至先进制程，积极争取北美云厂商客户AI需求，同时减少成熟制程的产能比重。”许家源称，这一策略的直接后果是DDR4等成熟存储芯片产品的供给紧缺。许家源预测，DDR4的供给紧缺将至少延续至2026年上半年。
目前来看，这种结构性的缺货正在倒逼下游产业链进行调整：个人电脑厂商为确保出货，不得不加速导入DDR5新产品以应对DDR4的缺货；而电视、网络通信设备等对成本更为敏感的消费领域，则被迫放缓了由DDR3向DDR4产品迭代进程。
目前，集邦咨询已将2026年智能手机出货增速预测由原先的2%下调至-2%，预计手机单机存储容量的提升节奏将放缓，不排除部分产品出现降低单机搭载容量的可能。原因主要是存储芯片价格上涨推高了整机成本，迫使厂商提价，从而压制了消费者需求，特别对低端机型冲击较大，导致市场预期转为负增长。 此外，明年笔记本电脑出货增速预估也从5%下调至-3%。
国产存储芯片有望取得突破
值得注意的是，三巨头持续押注HBM等先进存储产品，在消费级存储芯片供给缺口扩大的背景下，客观上为中国国内存储厂商留出了市场缺口，国产存储芯片或凭借性价比优势快速抢占份额，并有望在细分市场作出突破。
这种战略性撤退为中国厂商创造了双重机遇。一是全球范围内的补位。随着巨头撤离DDR4等成熟制程市场，中国厂商若能利用现有的成熟制程产能填补这一空白，将在全球供应链中争取到份额。
二是在本土供应链上，国产存储厂商有机会在国内云厂商的采购中争取到更大的供应份额。
例如，国内利基型存储龙头兆易创新，已率先捕捉到巨头战略转移带来的市场红利。据公司透露，受益于DRAM价格持续上行及成本传导的滞后红利，其利基型DRAM业务的盈利能力呈现显著修复态势：毛利率从年初的低个位数徘徊，迅速在二季度攀升至双位数，并于三季度进一步走阔。在产品结构上，DDR4已成为营收主力，今年以来占比超过五成且持续爬升。
兆易创新管理层在10月28日的投资者交流中直言，本轮供应短缺的本质是产能挤出效应。随着行业巨头纷纷将产能倾斜至数据中心和AI等主流应用，利基型DRAM产能被迫压缩或停产，导致供给端出现巨大缺口，而这正是国内厂商承接市场份额的关键窗口。
国产存储产品近期已取得突破。11月23日，长鑫存储在第二十二届中国国际半导体博览会(IC China)上发布DDR5系列新品，最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，并推出多种模组产品，覆盖服务器、工作站及个人电脑等场景，满足各领域的高端市场需求。
接下来，国内存储芯片市场竞争格局将出现怎样变化，值得关注。
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