不出所料，三星电子递交了一份“历史最强”季度营收报告：季度营收和营业利润双双创下纪录，半导体业务的利润更飙升超400%。
据韩国《朝鲜日报》、彭博社等外媒消息，1月29日，三星电子正式公布其2025年第四季度及全年业绩。第四季度单季，三星营收同比增23.8%，达到93.84万亿韩元（当前汇率约合人民币4570亿元）；营业利润飙升209.2%，达到20.07万亿韩元（约合人民币977亿元），大幅刷新了公司在2018年第三季度创下的17.6万亿韩元的纪录。
去年全年，三星年营收增长10.87%，达到333.6万亿韩元（约合人民币1.62万亿元）；年营业利润增长33.3%，达到43.6万亿韩元（约合人民币2123亿元）。
图片转自韩媒《朝鲜日报》
从不同业务划分来看，2025年第四季度，备受关注的半导体业务营收增长46.2%，达到44万亿韩元（约合人民币2145亿元），而营业利润猛增465%，达到16.4万亿韩元（约合人民币799.7亿元），贡献了当季营业利润总额的80%。
但与半导体业务的形成对比的是，三星的家电和智能手机业务表现疲软。移动及网络部门去年第四季度的营业利润降至仅1.9万亿韩元，同比下降9.5%，环比下降超45%；而家电及电视业务继第三季度后，已连续两个季度录得亏损。
三星表示，智能手机业务的下滑是由于新款智能手机的“上市效应”减弱以及激烈的市场竞争造成的。其表示，计划通过即将推出的Galaxy S26系列，引入“智能体 AI 体验”，加强其AI智能手机的研发。同时，公司还计划通过扩大旗舰产品销售、优化资源配置以及努力加强供应链稳定性来确保持续盈利能力。
分析指出，三星半导体业务的强势表现主要由存储芯片需求激增引起。去年以来席卷全球的AI行业“淘金潮”当中，AI大模型带来的收益尚且不论，作为提供“铲子”和“靴子”的上游供应链已经享受到了这一红利。
韩媒报道称，长期以来，三星的存储半导体业务一直是行业领导者。然而，随着AI基础设施竞争的加速，三星因在HBM开发上落后，自2025年第一季度起被SK海力士超越。根据 Counterpoint Research的数据，三星在2024年第四季度仍占据DRAM市场 38% 的份额，但去年第一季度跌至34%，落后于SK海力士（36%）。为此，三星重新设计了HBM，并在去年通过向英伟达（NVIDIA）供应HBM3E实现了逆转。
一位业内人士表示，“曾经停滞的三星半导体业务已开始反弹。鉴于其巨大的产能，目前的全球存储芯片短缺将让三星直接受益。”
众所周知，去年以来，以谷歌、微软为首的美国科技巨头将上千亿美元投进AI基础设施建设，在全美各地兴建数据中心，带动高带宽存储芯片（HBM）的需求急剧上升。在盈利需求驱动下，三星和SK海力士等存储芯片制造商纷纷将更多产能分配给利润丰厚的HBM，导致主要用于消费电子产品的DRAM和NAND陷入短缺，甚至使PC和智能手机制造商面临“断供”风险。
在AI热潮方兴未艾的背景下，市场普遍预计内存的涨价趋势将持续到2026年，甚至2027年。集邦咨询最新调查认为，2026年第一季度，一般型DRAM合约价将季增55-60%。而NAND Flash合约价预计将上涨33-38%。
三星电子表示，今年计划继续优先开发面向人工智能应用的高利润产品，尤其是高带宽内存（HBM）市场的高端领域。目前正处于完成HBM4认证程序的阶段，计划2月投产。此外，三星透露，HBM订单今年已全部订满，预计2026年HBM营收将增长逾三倍。
彭博社指出，HBM4是三星、SK海力士等内存厂商的“必争之地”。英伟达发布的新一代Rubin AI平台将集成HBM4，带来大量需求。
但近期，有消息称，英伟达已将其用于Rubin平台的HBM4需求的约70%分配给SK海力士，而三星稍显落后，目前已接近获得英伟达对其最新AI存储芯片的认证。
行业研究机构Counterpoint Research预测，2026年，SK海力士将占据全球HBM4市场54%的份额，三星电子将以28%位居第三，美光科技将以18%位居第四。
行业预计，在存储芯片带动下，三星电子今年的营业利润最高可达180万亿韩元。SK证券认为，2026年三星电子的营业利润将同比增长314%，达到180万亿韩元，营业利润率达37%，利润规模和盈利能力均将创下历史新高。
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