随着无线通信技术的发展，太赫兹波因超宽带、高定向性和高分辨率等优势，成为6G通信的重要频谱资源。然而，频率升高带来的路径损耗加剧和信号源输出功率降低等问题，使系统对高精度、低损耗、大视场的波束控制器件提出严苛要求。
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所秦华团队提出并研制了基于氮化镓肖特基二极管（GaN SBD）的无源太赫兹相控阵芯片原型，其工作频率为0.32 THz，阵列规模为32×25。这一芯片利用GaN SBD的高速变容特性实现阵列天线谐振模式的动态调控，支持模拟和数字调相两种工作模式。在0至210°的连续相位调节范围内，平均插入损耗为5 dB，调制速率超过200 MHz，平均相位调节误差为1.8°。
进一步，针对现有GaN晶圆材料的非均匀性和SBD工艺偏差导致阵元间相位调节存在偏差的问题，该团队提出了基于差分进化的控制策略，使主瓣增益提升了4.2 dB，并有效抑制了旁瓣水平。在±45°扫描范围内，波束增益为18 dBi。基于该芯片，团队演示验证了目标的跟踪定位和信号的定向传输等功能。
相关研究成果发表在《先进材料》（Advanced Materials）上。研究工作得到国家自然科学基金、国家重点研发计划和中国科学院相关项目等的支持。
论文链接
基于GaN SBD的无源太赫兹相控阵芯片
交变磁性是近年来提出的第三类基本磁相。交变磁性既有反铁磁体的零净磁场，又具有铁磁体的自旋劈裂现象。通常，两者被认为是不相容的。交变磁性兼具铁磁性和反铁磁性的优势，为制造自旋电子器件带来了新突破口，在磁存 实现“教育链、人才链、产业链、创新链”在纵向上内部融通，在横向上相互打通，无疑是今后一段时间内，我国职业教育的主要改革方向 近日，中共中央、国务院印发《关于深化产业工人队伍建设改 中国教育报-中国教育新闻网讯（记者 施剑松 通讯员 单清伟）10月29日，北京市首届学前教育质量月活动启动暨“学前教育区园行”走进海淀活动在北京市六一幼儿院举行。此次活动以“树立科学质量观 中国教育新闻网讯（记者 焦小新）近日，由广东以色列理工学院（以下简称“广以”）、广东省能量转换材料和技术重点实验室主办的“2024先进材料与柔性电子国际研讨会”成功举办。世界柔性电子领域知名 中国教育报-中国教育新闻网讯（记者 陈欣然）11月6日，2024年全国精细化工行业产教融合共同体年度会议暨“校企对接”交流会在天津召开。本次大会由中国化工教育协会指导，天津职业大学主办，天津大学 摘要：近年来，中学生面临着多方面的压力，包括学习压力、人际关系压力、抗压和挫折适应能力问题等。这些问题对学生的心理健康产生了不良影响，导致部分学生出现焦虑、抑郁等心理问题。本文从关注传 。本文链接：氮化镓基无源太赫兹相控阵机制研究获进展http://www.sushuapos.com/show-12-1574-0.html
声明：本网站为非营利性网站，本网页内容由互联网博主自发贡献，不代表本站观点，本站不承担任何法律责任。天上不会到馅饼，请大家谨防诈骗！若有侵权等问题请及时与本网联系，我们将在第一时间删除处理。
下一篇： 热带山地微生物多样性研究取得进展