碳化硅陶瓷结构件在半导体制造、新能源等高端装备领域的需求日益增长。然而，碳化硅陶瓷因极高的硬度和显著的脆性，使其难以通过传统加工方法制造复杂结构件，这一技术瓶颈制约了其在高端装备中的应用。因此，3D打印技术成为突破碳化硅陶瓷制造瓶颈的关键途径。目前，3D打印方法制备的碳化硅陶瓷主要面向缺陷容忍度较高的反应烧结碳化硅陶瓷，但反应烧结碳化硅陶瓷中通常存在>30vol%的残余游离硅，硅熔点低于1410℃，导致其高温性能受限，进而限制了3D打印碳化硅陶瓷在极端服役环境下的应用场景。
针对上述问题，中国科学院上海硅酸盐研究所研究团队，提出了材料挤出（MEX）打印结合前驱体渗透裂解（PIP）与常压固相烧结的复合工艺路线。常压固相烧结路线可较好地避免硅相含量过多的问题，并提高材料在极端环境下的使用温度。但3D打印常压烧结碳化硅陶瓷中有机粘结剂含量高达40vol%至50vol%，烧结形成的孔隙会使材料收缩率超过20%，进而导致尺寸精度失控，使材料开裂。对此，团队提出了在3D打印多孔坯体中进行聚碳硅烷（PCS）前驱体的真空浸渍裂解，使其在1300℃下转化为原位纳米碳化硅颗粒填充孔隙，并构建内部微观支撑骨架。为解决坯体强度低的问题，团队进一步引入预烧结处理工艺，在增强坯体强度的同时保持适量开孔结构，以实现PCS高效渗透与缺陷控制。
该工艺实现了双重突破，即一方面在烧结过程中避免了游离硅相的生成，使材料具备优异的高温力学性能；另一方面通过PIP过程中形成的碳化硅骨架，有效抑制了烧结收缩，并将线性收缩率从21.71%降低至6.38%。研究显示，制备的碳化硅陶瓷密度可达3.17g·cm⁻³，抗弯强度为359MPa，弹性模量为381GPa，热导率达165.76W·m⁻¹·K⁻¹，且在1500℃高温环境下仍能保持357MPa的抗弯强度，为极端环境下使用复杂结构碳化硅陶瓷部件的精密制造提供了技术支撑。
近日，相关研究成果发表在Additive Manufacturing上。研究工作得到科学技术部的支持。
论文链接
MEX-3D打印碳化硅陶瓷流程图
PIP工艺抑制MEX结合常压固相烧结碳化硅陶瓷的尺寸收缩
本文链接：3D打印常压烧结碳化硅陶瓷研究获进展http://www.sushuapos.com/show-12-2184-0.html
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