记者从中国科学院金属研究所获悉，该所沈阳材料科学国家研究中心胡卫进研究员与合作者，提出利用缓冲层定量调控薄膜应变，延迟铁电薄膜晶格弛豫从而增强铁电极化强度的策略，成功揭示极化强度同铁电隧道结存储器隧穿电阻之间的关联，并实现巨大器件开关比。相关研究成果以“外延应变调控铁电极化强度实现巨大隧穿电致电阻效应”为题，发表于国际杂志《美国化学学会·纳米》上。
铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构，它利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应获得不同的电阻态，实现数据存储功能。具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点，属于下一代信息存储技术。隧穿电致电阻是隧道结的关键性能指标，它与界面电荷屏蔽效应、铁电极化强度等密切相关。目前，一般通过多样化的电极工程调制电荷屏蔽效应，实现隧穿电致电阻的提升。但铁电层的电极化强度如何定量影响隧穿电致电阻，迄今尚无实验验证。
研究人员以Sr3Al2O6/La0.67Sr0.33MnO3/BaTiO3为模型体系，利用激光分子束外延技术实现了多层膜的原子级逐层生长和隧道结器件的制备。研究发现，Sr3Al2O6缓冲层厚度可连续调控BaTiO3单晶薄膜的面内应变，从而线性增强铁电极化强度。基于此，研究人员得以在-2.1%的压应变下，在BaTiO3/La0.67Sr0.33MnO3界面获得80μC/cm2的铁电极化强度，打破已报道的最高值纪录。
记者从中国科学院金属研究所获悉，该所沈阳材料科学国家研究中心胡卫进研究员与合作者，提出利用缓冲层定量调控薄膜应变，延迟铁电薄膜晶格弛豫从而增强铁电极化强度的策略，成功揭示极化强度同铁电隧道结存储器隧穿电阻之间的关联，并实现巨大器件开关比。相关研究成果以“外延应变调控铁电极化强度实现巨大隧穿电致电阻效应”为题，发表于国际杂志《美国化学学会·纳米》上。
铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构，它利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应获得不同的电阻态，实现数据存储功能。具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点，属于下一代信息存储技术。隧穿电致电阻是隧道结的关键性能指标，它与界面电荷屏蔽效应、铁电极化强度等密切相关。目前，一般通过多样化的电极工程调制电荷屏蔽效应，实现隧穿电致电阻的提升。但铁电层的电极化强度如何定量影响隧穿电致电阻，迄今尚无实验验证。
研究人员以Sr3Al2O6/La0.67Sr0.33MnO3/BaTiO3为模型体系，利用激光分子束外延技术实现了多层膜的原子级逐层生长和隧道结器件的制备。研究发现，Sr3Al2O6缓冲层厚度可连续调控BaTiO3单晶薄膜的面内应变，从而线性增强铁电极化强度。基于此，研究人员得以在-2.1%的压应变下，在BaTiO3/La0.67Sr0.33MnO3界面获得80μC/cm2的铁电极化强度，打破已报道的最高值纪录。
3月17日，记者从海南大学获悉，该校化学化工学院副教授李萌婷与相关研究团队合作，合成了多功能复合金纳米花颗粒。该颗粒配合温和光热、光动力、药物控释联合疗法，可有效促进感染性组织再生修复。 近日，国家知识产权局等五部门联合印发了《专利产业化促进中小企业成长计划实施方案》（以下简称《实施方案》）。《实施方案》提出，到2025年底，中小企业知识产权意识和专利转化运用能力得到普遍提升 今年1月，英国分子生物学家肖尔托·戴维发表文章，指控美国哈佛大学医学院附属丹娜-法伯癌症研究所科学家通过修改图片伪造数据。随后该研究所正式宣布撤回6篇论文，并纠正了另外31篇论文的 记者3月20日从中国科学技术大学获悉，该校郭光灿院士团队在量子态分辨研究中取得重要进展：他们在最小资源消耗的量子态分辨问题中首次提出了全局最优自适应策略，并发展了自适应集体测量实验技术， 中新经纬3月22日电 据《日本经济新闻》22日报道，夏普正在讨论缩小液晶显示器业务，夏普已将子公司显示器(SDP、位于市)停产纳入视野。显示器业务持续陷入苦战，成为夏普在2022财年(截至2023年3月)时隔5年陷入最终亏损 3月23日，“天卫科技03星”暨“华祥苑壹号”卫星在厦门举行出征仪式，这是由厦门本土企业天卫科技制造研发的第三颗服务当地建设的商业卫星，标志着厦门航天卫星应用领域商业化、产业化发展更进一 。本文链接：我国科学家在铁电隧道结存储器研究中取得新进展http://www.sushuapos.com/show-2-3976-0.html
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