台积电副共同营运长张晓强称，阿斯麦下一代High-NA EUV设备“非常非常贵”。
4月22日，台积电副共同营运长张晓强在一场论坛上公开表示，公司目前没有采用阿斯麦最新高数值孔径极紫外光刻机（High-NA EUV）的计划，这类设备单台价格超过3.5亿欧元（约合人民币27.98亿元）。
“我们仍然能够从现有EUV设备中获益。”张晓强还补充称，下一代High-NA EUV设备“非常非常贵”。
公开资料显示，阿斯麦High‑NA EUV光刻机是当前半导体制造领域技术复杂度最高、单价最昂贵的生产装备，也是支撑1.4nm及以下先进制程的核心硬件。
与上一代Low‑NA EUV设备相比，其数值孔径从0.33提升至0.55，分辨率大幅提升，可实现更精细的电路图案加工，能显著提升晶体管密度与芯片能效，被视为延续摩尔定律的关键载体。
但超强性能背后是天价成本。主流Low‑NA EUV光刻机单台价格约2亿欧元，新一代设备价格接近上一代的1.8倍。设备搭载的高精度光学组件由德国蔡司独家供应，反射镜表面精度误差不超过0.3纳米，极紫外光源需通过激光轰击锡液产生，整套系统涉及数万精密零部件，组装调试周期长达数月，叠加全球独家供应地位，共同推高了终端定价。
阿斯麦刚刚在4月中旬交出一份超预期的一季报。该公司第一季度净销售额为87.67亿欧元，市场预估为86.9亿欧元，同比增长13.25%；净利润为27.6亿欧元，市场预估为25.6亿欧元，同比增长17.06%，其毛利率达到53%，处于公司指引区间的上限。
阿斯麦业绩增长主要由服务收入（同比增长24%）和韩国客户对EUV光刻机的强劲需求驱动。光刻系统收入同比增长9%，其中EUV光刻机出货16台。公司预计2026年二季度总净销售额将在84亿至90亿欧元之间，2026年总净销售额在360亿至400亿欧元之间。
此前阿斯麦首席执行官Christophe Fouquet曾表示，“芯片需求正在超过供应。为此，在与客户签订的长期协议支持下，我们的客户正在加速其在2026年及以后的产能扩张计划。”
台积电是阿斯麦最大的客户，暂缓购买决定对阿斯麦来说不是什么好消息。阿斯麦原本计划新设备于2027年和2028年大量生产，并将2030年的营收目标定在600亿欧元。
实际上，台积电此前已采购极少量的High-NA EUV，但仅用于研发而非量产。张晓强称，台积电正寻求在不使用High-NA EUV设备的情况下提升芯片效能的方法。
同在4月22日，台积电还发布两项关键制造技术改进，为替代方案提供支撑。其中A13工艺计划2029年量产，作为A14工艺的光学收缩版本，可在保持设计兼容的前提下缩减6%芯片面积，兼顾能效与性能提升；N2U工艺则作为2nm平台的演进版本，预计2028年投产，速度较前代提升3%至4%，功耗降低8%至10%。
台积电与阿斯麦是深度绑定的产业共同体。早在上世纪80年代，台积电成立初期便采购阿斯麦设备，助力其打开国际市场。2012年，阿斯麦推出客户联合投资计划，台积电出资14亿美元获得5%股权，与英特尔、三星共同支撑EUV技术研发，解决阿斯麦资金困境。
据市场测算，台积电累计采购约170台EUV设备，占总出货量的45%。从7nm到3nm工艺，台积电的制程突破始终依托阿斯麦光刻设备，而台积电的大规模采购与技术反馈，也推动阿斯麦设备持续迭代优化，双方共同主导了先进制程的发展节奏。此次暂缓采购新设备，反映出头部芯片厂在技术迭代中，对成本与收益的考量愈发谨慎。
台积电发布的2026年第一季度财报显示，其实现营收359亿美元，同比增长40.6%，净利润182亿美元，同比增长58%，毛利率达66.2%，创历史新高，显著高于市场预期的64.5%。其中7nm及以下先进制程贡献74%晶圆营收，3nm、5nm工艺成为利润核心支柱。
业绩会上，台积电上调全年预期，预计2026年销售额同比增长超30%，资本开支维持520亿至560亿美元区间，且偏向区间上沿，资金重点投向3nm扩产、2nm研发及全球产能布局。
在资本开支总量高企的背景下，台积电必须优化投入结构，将资金集中投入产能扩张与成熟先进工艺优化，保障AI芯片订单交付，同时维持盈利稳定性，避免单一设备占用过多资本。
阿斯麦虽手握独家技术，但需面对客户对高价设备的观望态度，其High‑NA EUV大规模量产的计划，或将因台积电延迟采购而调整节奏。
台积电副共同营运长张晓强称，阿斯麦下一代High-NA EUV设备“非常非常贵”。
4月22日，台积电副共同营运长张晓强在一场论坛上公开表示，公司目前没有采用阿斯麦最新高数值孔径极紫外光刻机（High-NA EUV）的计划，这类设备单台价格超过3.5亿欧元（约合人民币27.98亿元）。
“我们仍然能够从现有EUV设备中获益。”张晓强还补充称，下一代High-NA EUV设备“非常非常贵”。
公开资料显示，阿斯麦High‑NA EUV光刻机是当前半导体制造领域技术复杂度最高、单价最昂贵的生产装备，也是支撑1.4nm及以下先进制程的核心硬件。
与上一代Low‑NA EUV设备相比，其数值孔径从0.33提升至0.55，分辨率大幅提升，可实现更精细的电路图案加工，能显著提升晶体管密度与芯片能效，被视为延续摩尔定律的关键载体。
但超强性能背后是天价成本。主流Low‑NA EUV光刻机单台价格约2亿欧元，新一代设备价格接近上一代的1.8倍。设备搭载的高精度光学组件由德国蔡司独家供应，反射镜表面精度误差不超过0.3纳米，极紫外光源需通过激光轰击锡液产生，整套系统涉及数万精密零部件，组装调试周期长达数月，叠加全球独家供应地位，共同推高了终端定价。
阿斯麦刚刚在4月中旬交出一份超预期的一季报。该公司第一季度净销售额为87.67亿欧元，市场预估为86.9亿欧元，同比增长13.25%；净利润为27.6亿欧元，市场预估为25.6亿欧元，同比增长17.06%，其毛利率达到53%，处于公司指引区间的上限。
阿斯麦业绩增长主要由服务收入（同比增长24%）和韩国客户对EUV光刻机的强劲需求驱动。光刻系统收入同比增长9%，其中EUV光刻机出货16台。公司预计2026年二季度总净销售额将在84亿至90亿欧元之间，2026年总净销售额在360亿至400亿欧元之间。
此前阿斯麦首席执行官Christophe Fouquet曾表示，“芯片需求正在超过供应。为此，在与客户签订的长期协议支持下，我们的客户正在加速其在2026年及以后的产能扩张计划。”
台积电是阿斯麦最大的客户，暂缓购买决定对阿斯麦来说不是什么好消息。阿斯麦原本计划新设备于2027年和2028年大量生产，并将2030年的营收目标定在600亿欧元。
实际上，台积电此前已采购极少量的High-NA EUV，但仅用于研发而非量产。张晓强称，台积电正寻求在不使用High-NA EUV设备的情况下提升芯片效能的方法。
同在4月22日，台积电还发布两项关键制造技术改进，为替代方案提供支撑。其中A13工艺计划2029年量产，作为A14工艺的光学收缩版本，可在保持设计兼容的前提下缩减6%芯片面积，兼顾能效与性能提升；N2U工艺则作为2nm平台的演进版本，预计2028年投产，速度较前代提升3%至4%，功耗降低8%至10%。
台积电与阿斯麦是深度绑定的产业共同体。早在上世纪80年代，台积电成立初期便采购阿斯麦设备，助力其打开国际市场。2012年，阿斯麦推出客户联合投资计划，台积电出资14亿美元获得5%股权，与英特尔、三星共同支撑EUV技术研发，解决阿斯麦资金困境。
据市场测算，台积电累计采购约170台EUV设备，占总出货量的45%。从7nm到3nm工艺，台积电的制程突破始终依托阿斯麦光刻设备，而台积电的大规模采购与技术反馈，也推动阿斯麦设备持续迭代优化，双方共同主导了先进制程的发展节奏。此次暂缓采购新设备，反映出头部芯片厂在技术迭代中，对成本与收益的考量愈发谨慎。
台积电发布的2026年第一季度财报显示，其实现营收359亿美元，同比增长40.6%，净利润182亿美元，同比增长58%，毛利率达66.2%，创历史新高，显著高于市场预期的64.5%。其中7nm及以下先进制程贡献74%晶圆营收，3nm、5nm工艺成为利润核心支柱。
业绩会上，台积电上调全年预期，预计2026年销售额同比增长超30%，资本开支维持520亿至560亿美元区间，且偏向区间上沿，资金重点投向3nm扩产、2nm研发及全球产能布局。
在资本开支总量高企的背景下，台积电必须优化投入结构，将资金集中投入产能扩张与成熟先进工艺优化，保障AI芯片订单交付，同时维持盈利稳定性，避免单一设备占用过多资本。
阿斯麦虽手握独家技术，但需面对客户对高价设备的观望态度，其High‑NA EUV大规模量产的计划，或将因台积电延迟采购而调整节奏。
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