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新型薄膜半导体电子迁移速度创纪录

发布时间: 来源: 科技日报

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科技日报北京7月17日电 (记者刘霞)据美国趣味科学网站16日报道,来自美国麻省理工学院、美国陆军作战能力发展司令部(DEVCOM)陆军研究实验室和加拿大渥太华大学等机构的科学家,利用名为三元石英的晶体材料,成功研制出一种新型超薄晶体薄膜半导体。薄膜厚度仅100纳米,约为人头发丝直径的千分之一。其中电子的迁移速度创下新纪录,约为传统半导体的7倍。这一成果有助科学家研制新型高效电子设备。相关论文发表于《今日材料物理学》杂志。uch速刷资讯——每天刷点最新资讯,了解这个世界多一点SUSHUAPOS.COM

研究论文通讯作者、麻省理工学院的贾加迪什·穆德拉指出,他们通过分子束外延过程制造出了这款薄膜半导体。该过程需要精确控制分子束,逐个原子地构建材料,这样获得的材料瑕疵最小最少,从而实现更高的电子迁移率。uch速刷资讯——每天刷点最新资讯,了解这个世界多一点SUSHUAPOS.COM

研究人员向这种薄膜半导体施加电流时,记录到电子以10000平方厘米/伏秒的破纪录速度迁移。相比之下,在标准硅半导体内,电子的迁移速度通常约为1400平方厘米/伏秒;在传统铜线中则更慢。uch速刷资讯——每天刷点最新资讯,了解这个世界多一点SUSHUAPOS.COM

研究人员将这种薄膜半导体比作“不堵车的高速公路”,认为这有助于研制更高效、更可持续的电子设备,如自旋电子设备和可将废热转化为电能的可穿戴热电设备。uch速刷资讯——每天刷点最新资讯,了解这个世界多一点SUSHUAPOS.COM

研究团队指出,即使材料中最微小的瑕疵也会阻碍电子运动,从而影响电子迁移率。他们希望进一步改进制作过程,让薄膜变得更纤薄,从而更好地应用于未来的自旋电子设备和可穿戴热电设备。uch速刷资讯——每天刷点最新资讯,了解这个世界多一点SUSHUAPOS.COM

研究生教育是高等教育的最高层次,是衡量一个国家高等教育竞争力的关键标志,是拔尖创新人才自主培养的主渠道。在研究 ? 2023年12月14日,自然科学基金委化学科学部在北京召开会议,对2017年度资助的国家自然科学基金创新研究群体项目进 中国科协办公厅关于开展2023年度国家科学技术奖提名工作的通知 各全国学会、协会、研究会,各省、自治区、直辖市科 12月19日,“复旦大学·绍兴周”系列活动在复旦大学开启,这也是“复旦大学·城市周”的首期活动。 本次 12月18日,由中国科协—北京大学科学文化研究院、中国科协创新战略研究院及北京大学科学技术与医学史系共同主办的“第三 关于发布“2023年度华夏建设科学技术奖”授奖项目的公示 华夏奖字〔2023〕第4号 各有关单位: 2023年度华夏建设科学技术 。

本文链接:新型薄膜半导体电子迁移速度创纪录http://www.sushuapos.com/show-11-8685-0.html

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