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长江存储首席科学家:我国三维闪存芯片技术实现从落后到赶超

发布时间: 2025-07-07 09:51:06 来源: 观察者网

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近日,在2025年北大研究生毕业典礼上,长江存储首席科学家、校友霍宗亮寄语毕业生:北大与民族复兴紧密相连,应选择与国家同行,与民族命共命运,投身到国家需要的产业中去。cRm速刷资讯——每天刷点最新资讯,了解这个世界多一点SUSHUAPOS.COM

霍宗亮说道,“北大人的血液里流淌着家国天下的基因,投身到国家需要的产业中去,我们更容易实现人生的价值。存储产业在我毕业的那个时代不是一个最热门的产业,但我坚信它一定是国家需要的产业,所以我们所要做的就是沉下心来,不害怕坐冷板凳,不贪图快速的回报,在自主研发的道路上默默奋斗。”cRm速刷资讯——每天刷点最新资讯,了解这个世界多一点SUSHUAPOS.COM

霍宗亮表示,“在长江存储的这十来年里,我们的团队卧薪尝胆,一路披荆斩棘,使我国的三维闪存芯片技术从无到有、从落后到赶超,实现了跨越式的发展。”cRm速刷资讯——每天刷点最新资讯,了解这个世界多一点SUSHUAPOS.COM

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根据官网介绍,长江存储成立于2016年7月,是国内一家专注于3D NAND闪存及存储器解决方案的半导体集成电路企业,提供3D NAND闪存、嵌入式存储、移动硬盘、固态硬盘等产品,并在2021年推出唯一零售存储品牌致态。2020年4月,长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功,其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存,拥有发布之时业界最高的I/O速度,最高的存储密度和最高的单颗容量。cRm速刷资讯——每天刷点最新资讯,了解这个世界多一点SUSHUAPOS.COM

本文系观察者网独家稿件,未经授权,不得转载。 cRm速刷资讯——每天刷点最新资讯,了解这个世界多一点SUSHUAPOS.COM

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