忆阻器是具有记忆功能的非线性电阻器。忆阻器作为仿神经器件，在类脑计算和脑机接口等领域颇有潜力。近年来，中国科学院化学研究所于萍课题组致力于流体忆阻器研究，在器件构筑、传输原理与应用方面展开了系统研究。前期，该团队设计并构筑了聚电解质限域流体体系，发现了该体系中的忆阻行为，实现了突触可塑性的化学调控行为、神经化学信号与电信号转导的模拟，为发展类化学突触功能器件、神经智能传感、神经形态计算等提供了新思路。
近期，课题组设计了新型流体忆阻器器件结构和原理，提出并发展了基于有机液膜的离子选择性忆阻器。研究构建溶有二苯并18-冠醚-6的二氯乙烷液膜体系，发现该体系具有忆阻器特征，利用液膜中离子的浓度分布变化，实现了器件的记忆效应，模拟了多种神经电行为。相比于传统固体器件，研究发展的流体器件具有可与生物体系相比拟的工作电压和功耗。更重要的是，利用二苯并18-冠醚-6的钾离子选择性，这一器件实现了对依赖离子选择性的神经功能如静息电位等的模拟，为实现多离子并行类脑智能传感和类脑计算奠定了基础。
相关研究成果发表在《美国国家科学院院刊》（PNAS）上。研究工作得到国家自然科学基金委员会、科学技术部和中国科学院的支持。该工作由化学所和中国科学院大学合作完成。
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基于仿生有机液膜的离子选择性忆阻器件
复旦大学基础医学院、脑科学研究院、脑功能与脑疾病全国重点实验室教授刘星、马兰合作，发现小鼠脑内基底外侧杏仁核（BLA）神 中国科学技术大学中国科学院微观磁共振重点实验室杜江峰院士、荣星教授等在量子热力学领域取得重要进展。研究组基 交变磁性是近年来提出的第三类基本磁相。交变磁性既有反铁磁体的零净磁场，又具有铁磁体的自旋劈裂现象。通常，两者被认为是不相容的。交变磁性兼具铁磁性和反铁磁性的优势，为制造自旋电子器件带来了新突破口，在磁存 11月11日，教育部副部长王光彦在新加坡参加中新双边合作机制会议期间，与新加坡教育部常任秘书林宛蓉举行会谈，围绕落实两国领导人共识和两国教育部谅解备忘录，签署《中华人民共和国教育部和新加坡教育部关于高校合作的 中国教育报-中国教育新闻网北京11月11日讯（记者 林焕新）“学前教育法共九章85条，短短的9000多字，浓缩了党的十八大以来学前教育跨越式发展的壮阔历程，凝聚了各地各部门大胆探索实践的宝贵经验，也寄 中国教育报-中国教育新闻网讯（通讯员 胡宜芳 李婷婷）近日，由中国信息技术教育杂志社主办的第二届全国基础教育数字化论坛暨明德云学堂2024年学术年会在北京国家会议中心举行。来自全国30个省份 。本文链接：离子选择性忆阻器研究获进展http://www.sushuapos.com/show-12-886-0.html
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