在节能降碳风潮的推动下，宽禁带半导体被认为是具有广阔发展前景的市场。即便当前碳化硅、氮化镓器件相较于硅器件的价格仍较高，但综合来看，应用宽禁带半导体器件将给系统带来巨大的综合收益。“双碳”浪潮下，半导体产业链各方同时用力，但谁能在这一风潮中获利，将取决于企业的生态打造能力。
吉林华微电子宽禁带产品生产研发势头亮眼。随着低碳化产品成为持续拉动功率半导体市场增长的动力点，全球各大供应商分别推出了相关产品和解决方案。吉林华微电子抓住新的增长机遇，积极迈进“低碳”路线，努力为其发展铺就一条硬科技绿色通道。
众所周知，宽禁带半导体具有禁带宽度宽、临界击穿电场强度大、饱和电子漂移速度高、介电常数小以及良好的化学稳定性等特点，特别是基于SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）的材料具有更高的电子迁移率，使得器件具有低的导通电阻、高的工作频率，能满足下一代电子装备对功率器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣高温工作的要求。
在GaN（氮化镓）器件方面，吉林华微电子已开发出650V功率器件，用于消费类电源领域。对于SiC（碳化硅）器件，吉林华微电子已经完成650V～1200VSiC二极管的开发，产品处于量产阶段；同时正在加快SiCMOSFET（碳化硅功率元器件）的推广，向汽车充电桩、汽车OBC（车载充电器）和光伏储能领域进行推广。公司未来将大力发展宽禁带半导体，充分迎接低碳赛道的各项挑战。
据中国半导体行业协会网站发布的市场数据表明，2022年全球功率半导体的销售额同比增长11％，达到1763亿人民币，实现连续第六年的增长，达到创纪录的历史最高水平。吉林华微电子经过认真研判发现，伴随着疫情冲击的减弱，社会经济活动回归正常，在新能源汽车应用、IGBT国产替代、第三代半导体迅猛的低碳化发展态势下，宽禁带半导体将给功率半导体器件带来可观的增量需求，我国功率半导体市场有望延续逆势增长。
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